研究者
J-GLOBAL ID：200901032654814004
更新日: 2020年06月06日
橋本 保
ハシモト タモツ | Hashimoto Tamotsu
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所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 エレクトロニクス材料シミュレーショングループ
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ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T55878661
研究分野 (5件)：
構造材料、機能材料
, 複合材料、界面
, 無機材料、物性
, 生物物理、化学物理、ソフトマターの物理
, 数理物理、物性基礎
研究キーワード (1件)：
欠陥 第一原理計算 分子動力学計算 磁性 誘電体
競争的資金等の研究課題 (1件)：
1.Ge 表面構造 2.窒化炭素の安定構造 3.窒化珪素の安定構造
MISC (8件)：
T Hashimoto, Y Morikawa, K Terakura. Stability and electronic structure of Ge(105)1x2: a first-principles theoretical study. SURFACE SCIENCE. 2005. 576. 1-3. 61-66
Hydrogen-Induced Instability of the Ge(105) Surface. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2005. 94. 8. 86105-1-86105-4
T Eguchi, Y Fujikawa, K Akiyama, T An, M Ono, T Hashimoto, Y Morikawa, K Terakura, T Sakurai, MG Lagally, et al. Imaging of all dangling bonds and their potential on the Ge/Si(105) surface by noncontact atomic force microscopy. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2004. 93. 26. 266102-1-266102-4
S Ishibashi, T Hashimoto, M Kohyama, K Terakura. Ab initio electronic structure study for TTF-TCNQ under uniaxial compression. PHYSICAL REVIEW B. 2004. 69. 15. 155111-1-155111-7
Origin of the stability of Ge(105) on Si - a new structure model and surface strain relaxation. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2002. 88. 17. 176101-1-176101-4
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所属学会 (1件)：
日本物理学会
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