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J-GLOBAL ID:200902128583341933   整理番号:02A0449216

Si上のGe(105)の安定性の起源 新しい構造模型と表面歪緩和

Origin of the Stability of Ge(105) on Si: A New Structure Model and Surface Strain Relaxation.
著者 (8件):
資料名:
巻: 88  号: 17  ページ: 176101.1-176101.4  発行年: 2002年04月29日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Si(105)表面の形態とGe被覆度との関係を,走査型トンネ...
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分類 (1件):
分類
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半導体薄膜 

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