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J-GLOBAL ID：200902001890144177   整理番号：90A0587641

多量の不純物を秩序的に添加した(GaAs)-(AlAs)における二次元伝導体および量子細線でのドナー状態の電子的特性

Electronic properties of the donor states under two-dimensional-conductor and quantum-wire configurations in heavily and orderly doped (GaAs)-(AlAs).

著者 (4件)： FONG C Y (Univ. California, California) ,  YANG L H (Univ. California, California) ,  NELSON J S (Sandia National Lab., New Mexico) ,  ESAKI L (Thomas J. Watson Research Center, New York)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 41  号： 15  ページ： 10667-10673  発行年： 1990年05月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元導体,一次元量子細線および零次元量子ドットは新しい応用...

シソーラス用語： 電気伝導 ,...
準シソーラス用語： 量子ワイヤ

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  GaAs ,  AlAs ,  量子細線 ,  ドナー ,  電子