電子顕微鏡法を用いた結晶の局所的な厚みの測定とイオンドープシリコンの深さ方向の欠陥分布プロフィルの研究

ПЕТРАШЕНЬ П В; СИТНИКОВА А А; СОРОСКИН Л М

文献

J-GLOBAL ID：200902001944044793 整理番号：84A0474543

電子顕微鏡法を用いた結晶の局所的な厚みの測定とイオンドープシリコンの深さ方向の欠陥分布プロフィルの研究

Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей распредения дефектов по глубине в ионно-легированных слоях кремния методом электронной микроскопии.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=84A0474543&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0474543&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=R0141A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 54 号： 7 ページ： 1330-1333 発行年： 1984年07月
JST資料番号： R0141A ISSN： 0044-4642 CODEN： ZTEFA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ロシア (RUS) 言語：ロシア語 (RU)

透過電子顕微鏡法を試料の深さ方向に沿った欠陥分布プロフィルを...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0474543&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=R0141A") }}

半導体の格子欠陥

, , , , , , ,

前のページに戻る