低エネルギーイオン照射下での薄いSiO<sub>2</sub>層における電荷とトラップ生成

文献

J-GLOBAL ID：200902002058828852 整理番号：90A0270190

低エネルギーイオン照射下での薄いSiO₂層における電荷とトラップ生成

The charge and trap generation in thin SiO₂ layers under low energy ion bombardment.

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巻： 112 号： 4 ページ： 189-193 発行年： 1990年02月
JST資料番号： A0224B ISSN： 1042-0150 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

1.5keV Ar⁺イオン照射下でのS...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の格子欠陥

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