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文献J-GLOBAL ID:200902002077398443整理番号:91A0445707

Validity of the method of the temperature dependence of the capacitance and of the active conductance in determination of the parameters of deep centers in an overcompensated semiconductor.

過剰補償した半導体の深い中心のパラメータの決定における容量と活性コンダクタンスの温度依存性の方法の有効性

著者:BERMAN L S(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)、LOMASOV V N(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)、TKACHENKO V N(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
資料名:Sov Phys Semicond 巻:24 号:10 ページ:1147-1150
発行年:1990年10月
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