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J-GLOBAL ID：200902002077398443   整理番号：91A0445707

過剰補償した半導体の深い中心のパラメータの決定における容量と活性コンダクタンスの温度依存性の方法の有効性

Validity of the method of the temperature dependence of the capacitance and of the active conductance in determination of the parameters of deep centers in an overcompensated semiconductor.

著者 (3件)： BERMAN L S (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad) ,  LOMASOV V N (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad) ,  TKACHENKO V N (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
資料名： Soviet Physics. Semiconductors  (Soviet Physics. Semiconductors)
巻： 24  号： 10  ページ： 1147-1150  発行年： 1990年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 0038-5700  CODEN： SPSEAX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記方法の有効性を理論的に分析し,次の二つの条件で制限される...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (5件)： パラメータ ,  活性 ,  コンダクタンス ,  温度依存性 ,  有効性