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文献J-GLOBAL ID:200902015521116888整理番号:89A0237993

Review of analytical models for the study of highly doped regions of silicon devices.

シリコンデバイスの高不純物濃度領域に関する研究のための解析モデルのレビュー

著者:CUEVAS A(Univ. Polit<span style=text-decoration:overline>e ́</span>cnica de Madrid, Madrid, ESP)、BALBUENA M A(Univ. Polit<span style=text-decoration:overline>e ́</span>cnica de Madrid, Madrid, ESP)
資料名:IEEE Trans Electron Devices 巻:36 号:3 ページ:553-560
発行年:1989年03月
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