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J-GLOBAL ID：200902015537881851   整理番号：89A0361013

分子線エピタクシーにより成長する(Al,In)As仮像層中のIn取込みに対する弾性ひずみと緩和の影響

Effects of the elastic strains and relaxations on In-incorporation in (Al, In)As pseudomorphic layers grown by molecular beam epitaxy.

著者 (3件)： TURCO F (Bellcore, NJ, USA) ,  MBAYE A A (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, FRA) ,  MASSIES J (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 95  号： 1/4  ページ： 201  発行年： 1989年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V族合金のMBE成長において基板-合金間の格子不整合...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  Al ,  仮像 ,  取込み ,  弾性ひずみ ,  緩和