文献
J-GLOBAL ID：200902015554985636
整理番号：91A0916766
Electrophysical characteristics of low-threshold (It=1.3mA,T=300K) AlGaAs quantum well laser diodes with buried heterostructures produced by low-temperature liquid phase epitaxy.
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著者 (8件)：
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資料名：
巻：
17
号：
2
ページ：
78-79
発行年：
1991年02月
JST資料番号：
H0665A
ISSN：
0360-120X
CODEN：
STPLD2
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
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