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文献J-GLOBAL ID:200902015576059042整理番号:89A0266109

The effect of interface and alloy quality on the DC and RF performance of Ga0.47In0.53As-Al0.48In0.52As HEMT's.

Ga0.47In0.53As‐Al0.48In0.52As HEMTのDC/RF性能への界面と合金品質の効果

著者:BROWN A S(Hughes Research Lab., CA, USA)、MISHRA U K(Hughes Research Lab., CA, USA)、ROSENBAUM S E(Hughes Research Lab., CA, USA)
資料名:IEEE Trans Electron Devices 巻:36 号:4 Pt.1 ページ:641-645
発行年:1989年04月
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