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J-GLOBAL ID：200902015590816921   整理番号：92A0387420

集積npn/pnpヘテロ接合バイポーラトランジスタ用の選択分子線エピタクシー

Selective molecular-beam epitaxy for integrated npn/pnp heterojunction bipolar transistor applications.

著者 (5件)： STREIT D C (TRW Electronics and Technology Division, California) ,  UMEMOTO D K (TRW Electronics and Technology Division, California) ,  VELEBIR J R (TRW Electronics and Technology Division, California) ,  KOBAYASHI K (TRW Electronics and Technology Division, California) ,  OKI A K (TRW Electronics and Technology Division, California)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 10  号： 2  ページ： 1020-1022  発行年： 1992年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上に標記HBTを作製するための選択MBE成長プロ...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 集積 ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  分子線エピタクシー