SiF4,GeF4およびH2からrfまたはdcグロー放電法で製作した非晶質Si,Ge:H合金の輸送性質

KOLODZEY J; SLOBODIN D; ALJISHI S; QUINLAN S; SCHWARZ R; SHEN D S; FAUCHET P M; WAGNER S

文献

J-GLOBAL ID：200902015733449534 整理番号：86A0233346

SiF₄,GeF₄およびH₂からrfまたはdcグロー放電法で製作した非晶質Si,Ge:H合金の輸送性質

Transport properties of α-Si, Ge:H alloys prepared from SiF₄, GeF₄ and H₂ in r.f. or d.c. glow discharges.

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資料名：
巻： 77/78 号： Pt2 ページ： 897-900 発行年： 1985年12月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Ge濃度が増すと,合金の暗伝導度は急増するが,光伝導度の上昇...

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半導体薄膜 , 光伝導,光起電力 , 非晶質・液体半導体の電気伝導

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