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文献J-GLOBAL ID:200902023164983414整理番号:83A0223208

Carrier lifetimes in silicon epitaxial layers deposited on oxygen-implanted substrates.

酸素をイオン注入した基板上へ形成されたシリコン・エピタキシャル層のキャリア寿命

著者:DAS K(Middlesex Polytechnic, London)、SHORTHOUSE G P(Middlesex Polytechnic, London)、BUTCHER J B(Middlesex Polytechnic, London)
資料名:Electron Lett 巻:19 号:4 ページ:139-140
発行年:1983年02月17日
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