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J-GLOBAL ID：200902096317511700   整理番号：91A0635727

ZnSe/GaAsヘテロ原子価界面 界面ミクロ構造と電気的特性

ZnSe/GaAs heterovalent interfaces:interface microstructure versus electrical properties.

著者 (7件)： QIU J (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  MENKE D R (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  KOBAYASHI M (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  GUNSHOR R L (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  QIAN Q-D (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  LI D (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  OTSUKA N (Purdue Univ., Indiana, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 111  号： 1/4  ページ： 747-751  発行年： 1991年05月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによりエピタキシャルZnSe/エピタキシャ...

シソーラス用語： セレン化亜鉛 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnSe ,  GaAs ,  ヘテロ原子 ,  界面 ,  ミクロ構造 ,  電気的特性