文献

J-GLOBAL ID：200902110499072866   整理番号：99A0105107

(Ga,Mn)As希薄磁性半導体薄膜の光ルミネッセンス研究

Photoluminescence study of (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor thin films.

著者 (9件)： KOSHIHARA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUE K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ITOH H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OGAWA Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MINAMI F (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  AKINAGA H (Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYANISHI S (Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN) ,  ASAMISTU A (Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN) ,  VAN ROY W (Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： 3rd Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors. Extended Abstracts. No.09244101  (3rd Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors. Extended Abstracts. No.09244101)
ページ： 10-11  発行年： 1997年 
JST資料番号： N19982830  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  Mn ,  希薄磁性半導体 ,  薄膜 ,  光ルミネッセンス ,  研究