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J-GLOBAL ID：200902131025386883   整理番号：99A0940797

Al/SRO/Siダイオードの電気特性の新しい実験的観察とアニーリング効果

New experimental observations on the electrical characteristics of the Al/SRO/Si diode, and annealing effects.

著者 (5件)： ACEVES M (INAOE(Electr ́onica), Pue, MEX) ,  FALCONY C (CIEA-IPN(Fisica), Mexico) ,  REYNOSO J A (CICESE ENSENADA, B.C., MEX) ,  CALLEJA W (INAOE(Electr ́onica), Pue, MEX) ,  PEREZ R (INAOE(Electr ́onica), Pue, MEX)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 2  号： 2  ページ： 173-183  発行年： 1999年07月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/シリコンリッチ酸化物(SRO)/Siの素子の電気特性を...

シソーラス用語： *半導体材料 ,...
準シソーラス用語： シリコン ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  SrO ,  Si ,  ダイオード ,  電気特性 ,  アニーリング効果