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文献J-GLOBAL ID:200902131045433225整理番号:98A0240635

Excess silicon at the Si3N4/SiO2 interface.

Si3N4/SiO2界面における過剰のけい素

著者:GRITSENKO V A(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)、PETRENKO I P(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)、SVITASHEVA S N(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)・・・
資料名:Appl Phys Lett 巻:72 号:4 ページ:462-464
発行年:1998年01月26日
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