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J-GLOBAL ID：200902131050535389   整理番号：94A0429544

分子ビームエピタキシャル成長したIII-V化合物半導体のヘテロ界面形成過程に対する実時間低エネルギーイオン散乱分光法の適用

Application of real-time low-energy ion scattering spectroscopy to heterointerface formation processes of molecular beam epitaxially grown III-V compound semiconductors.
著者 (7件)：
TAMURA M

TAMURA M について

(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)

Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN について

, 
SAITOH T

SAITOH T について

(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)

Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN について

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SUGIYAMA N

SUGIYAMA N について

(Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN)

Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN について

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HASHIMOTO A

HASHIMOTO A について

(Fukui Univ., Fukui, JPN)

Fukui Univ., Fukui, JPN について

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OHKOUCHI S

OHKOUCHI S について

(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)

Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN について

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IKOMA N

IKOMA N について

(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)

Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN について

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MORISHITA Y

MORISHITA Y について

(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)

Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN について


資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms について


巻： 85  号： 1/4  ページ： 404-413  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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イオン源と飛行時間(TOF)エネルギー分析計を同軸に配置した...
シソーラス用語：
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イオン散乱分光法

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イオンビーム分析

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分類 (2件)：
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金属,合金の放射化学的分析 
(CC06040Q)

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,  半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

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分子ビームエピタキシャル成長

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III-V化合物半導体

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形成過程

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実時間

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低エネルギーイオン散乱分光法

低エネルギーイオン散乱分光法 について


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