研究者
J-GLOBAL ID:200901020283781509   更新日: 2024年04月17日

森下 義隆

Morishita Yoshitaka
所属機関・部署:
職名: 准教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (3件):
ホームページURL (1件): http://www.tuat.ac.jp/~morichan/
研究分野 (1件): 応用物性
研究キーワード (1件): フォトニクス、量子物性、半導体、磁性体
競争的資金等の研究課題 (18件):
  • 2006 - 2007 新しい室温磁性半導体MnGeP2を用いたトンネル磁気抵抗素子の作製
  • 2002 - 2004 高アスペクトGaAsハニカムホールアレイの自己組織的形成・評価と応用
  • 2002 - 2004 高アスペクトGaAsハニカムホールアレイの自己組織的形成・評価と応用
  • 2000 - 2002 高規則性GaAsナノホールアレイの作製・評価と応用
  • 2000 - 2001 半導体ハニカムホールアレイの自己組織的形成と評価
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論文 (83件):
MISC (157件):
講演・口頭発表等 (120件):
  • 亜鉛のポーラスアルミナ上への析出
    (第65回応用物理学関係連合講演会 2018)
  • シュウ酸溶液中のアルミニウムの磁場印加陽極酸化
    (第65回応用物理学関係連合講演会 2018)
  • GaAs基板へのポーラスアルミナマスクパターンの転写
    (第64回応用物理学関係連合講演会 2017)
  • アルミニウムの磁場印加陽極酸化
    (第64回応用物理学関係連合講演会 2017)
  • ZnOのポーラスアルミナ上への析出
    (第63回応用物理学関係連合講演会 2016)
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Works (12件):
  • ナノ構造素子作製技術の研究
    1998 - 1998
  • ナノ構造素子作製技術の研究
    1997 - 1997
  • Fabrication of semiconductor nano-structure
  • MBE growth of quantum dots on anodized substrates
  • MBE growth of AlGaMrAs dilated magnetic semiconductor
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学歴 (2件):
  • - 1984 早稲田大学 理工学研究科 物理学及応用物理学専攻
  • - 1982 早稲田大学 理工学部 応用物理学科
学位 (3件):
  • 工学博士
  • 理学修士 (早稲田大学)
  • 博士(工学) (早稲田大学)
経歴 (5件):
  • 2001/11 - - 東京農工大学大学院工学研究科物理システム工学専攻博士前期課程D合助教授
  • 1997/04 - - 日本女子大学 理学部 非常勤講師に採用
  • 1995/02 - - 東京農工大学 工学部 助教授に採用
  • 1990/08 - 1995/01 - 光技術研究開発株式会社 つくば研究所 主任研究員に出向
  • 1984/04 - 1990/08 - 三菱電機株式会社 中央研究所 研究員に採用
所属学会 (4件):
日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  日本磁気学会 ,  日本結晶成長学会
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