- 2006 - 2007 新しい室温磁性半導体MnGeP2を用いたトンネル磁気抵抗素子の作製
- 2002 - 2004 高アスペクトGaAsハニカムホールアレイの自己組織的形成・評価と応用
- 2002 - 2004 高アスペクトGaAsハニカムホールアレイの自己組織的形成・評価と応用
- 2000 - 2002 高規則性GaAsナノホールアレイの作製・評価と応用
- 2000 - 2001 半導体ハニカムホールアレイの自己組織的形成と評価
- 1999 - 2001 3次元フォトスピニック結晶の作製と評価
- 1998 - 2000 MnBi系単結晶および人工格子のMBE成長と非線形磁気光学効果による評価
- 1999 - 1999 磁性体低次元量子サイズ構造の分子線エピタキシ法による精密制御作製と物性
- 1998 - 1998 ナノ構造素子作製技術の研究
- 1998 - 1998 磁性体/半導体ラテラル積層構造の作製と物性
- 1997 - 1997 ナノ構造素子作製技術の研究
- 1996 - 1997 非線形磁気光学効果による人工格子界面の評価
- ナノ構造素子作製技術の研究
- AlGaMrAs希薄磁性半導体のMBE成長と物性
- GaAs量子ドットの陽極化成とMBEによる作製
- Fabrication of semiconductor nano-structure
- MBE growth of AlGaMrAs dilated magnetic semiconductor
- MBE growth of quantum dots on anodized substrates
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