光電子回折法によるS/InP(100)及びその上に成長したCaF<sub>2</sub>薄膜の構造解析

文献

J-GLOBAL ID：200902141827425731 整理番号：96A0777562

光電子回折法によるS/InP(100)及びその上に成長したCaF₂薄膜の構造解析

Photoelectron Diffraction Studies on the Structure of Sulfur Passivated InP(100) and CaF2 Grown Layer on S/InP(100).

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巻： 51st 号： 2 ページ： 550 発行年： 1996年03月
JST資料番号： S0671A ISSN： 1342-8349 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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