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J-GLOBAL ID：200902141907082630   整理番号：98A0875993

水素終端Si(100)-2×1表面で作製されたダングリングボンド構造の電子構造

Electronic Structures of Dangling-Bond Structures Fabricated on Hydrogen-Terminated Si(100)-2×1 Surfaces.

著者 (8件)： HITOSUGI T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HASHIZUME T (Hitachi Ltd., Saitama, JPN) ,  HEIKE S (Hitachi Ltd., Saitama, JPN) ,  KAJIYAMA H (Hitachi Ltd., Saitama, JPN) ,  WADA Y (Hitachi Ltd., Saitama, JPN) ,  WATANABE S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KITAZAWA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Defect and Diffusion Forum  (Defect and Diffusion Forum)
巻： 162/163  ページ： 43-57  発行年： 1998年 
JST資料番号： D0958B  ISSN： 1012-0386  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素終端 ,  Si ,  作製 ,  ダングリングボンド ,  電子構造