アニールした非晶質シリコン膜の厚さ変動の分光偏光解析法による検出

文献

J-GLOBAL ID：200902165122221130 整理番号：96A0730875

Thickness change in an annealed amorphous silicon film detected by spectroscopic ellipsometry.

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巻： 279 号： 1/2 ページ： 174-179 発行年： 1996年06月
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

a-Si薄膜のアニーリング過程を分光偏光解析法(SE)により...

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半導体薄膜 , 偏光測定と偏光計

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