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J-GLOBAL ID：200902165190934064   整理番号：96A0879435

偏光エレクトロアブソープション法を用いたa-Si:H膜の曲げ歪による構造変化の評価

Evaluations of the structural change of a-Si:H in applied strain by polarized electroabsorption method.

著者 (4件)： 清水耕作 (大阪大 基礎工) ,  芝嗣広 (大阪大 基礎工) ,  田淵隆司 (大阪大 基礎工) ,  岡本博明 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 2  ページ： 747  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 偏光 ,  エレクトロアブソープション ,  Si ,  曲げ歪 ,  構造変化 ,  評価