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J-GLOBAL ID：200902174545245337   整理番号：02A0633860

100nm世代以降のSOC用のサブ1μm2高密度埋込SRAM技術

Sub-1μm2 High Density Embedded SRAM Technologies for 100nm Generation SOC and Beyond.
著者 (9件)：
TOMITA K

TOMITA K について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN について

, 
HASHIMOTO K

HASHIMOTO K について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN について

, 
INBE T

INBE T について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN について

, 
OASHI T

OASHI T について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN について

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INUISHI M

INUISHI M について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN について

, 
MIYANAGA I

MIYANAGA I について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN について

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NAKAMURA M

NAKAMURA M について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN について

, 
KAJIYA A

KAJIYA A について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN について

, 
OGURA M

OGURA M について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN について


資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology について


巻： 2002  ページ： 14-15  発行年： 2002年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ネットワーク用やディジタル家電用デバイス用のSOC(Syst...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*SRAM

SRAM について

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SOC【IC】

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分類 (2件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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世代

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SOC

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サブ

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高密度

高密度 について

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埋込

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, 
SRAM

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