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J-GLOBAL ID：200902212381308196   整理番号：09A0064482

ヒ素を注入したZnOにおけるRaman活性Froehlich光学フォノンモード

Raman-active Froehlich optical phonon mode in arsenic implanted ZnO

著者 (6件)： YE J. D. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...) ,  TRIPATHY S. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  REN Fang-fang (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...) ,  SUN X. W. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...) ,  LO G. Q. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...) ,  TEO K. L. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576, Singapore and Data ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 1  ページ： 011913  発行年： 2009年01月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,非共鳴および共鳴Raman分光法を用いたAs⁺を注入したZnOにおける光学フォノンと構造乱れの相関の研究について報告する。横光学フォノンと縦光学(LO)フォノンの間に550cm^-1に現れる付随的な肩ピークは有効誘電率の解析から共鳴Froehlich光学フォノンモードであることが明らかになった。共鳴条件下において,青方偏移ルミネセンスピークとともにLOフォノンの非対称的拡幅とソフト化が観測されたことから,フルエンスの増加とともにフォノンのコヒーレント長とナノ結晶化が減少することが明らかになった。このことは,透過型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡の観測結果とも良く一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *イオン注入 ,  *ヒ素 ,  *Ramanスペクトル ,  共鳴Raman散乱 ,  フォノン ,  乱れ ,  *光ルミネセンス ,  青方偏移 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： 光学フォノン

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヒ素 ,  注入 ,  ZnO ,  活性 ,  光学フォノン