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J-GLOBAL ID：200902212406964506   整理番号：05A0752925

1段階および2段階の急速熱ケイ化プロセスによって形成したNiSi/Si界面の電気的特性評価

Electrical characterization of NiSi/Si interfaces formed by a single and a two-step rapid thermal silicidation

著者 (10件)： JIANG Yu-Long (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  RU Guo-Ping (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HUANG Wei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  QU Xin-Ping (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LI Bing-Zong (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  AGARWAL Aditya (Axcelis Technol., Inc., MA, USA) ,  CAI Gary (Axcelis Technol., Inc., MA, USA) ,  POATE John (Axcelis Technol., Inc., MA, USA) ,  DETAVERNIER Christophe (Ghent Univ., Ghent, BEL) ,  VAN MEIRHAEGHE R L (Ghent Univ., Ghent, BEL)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 20  号： 8  ページ： 716-719  発行年： 2005年08月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化ケイ化技術は相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 段階 ,  ケイ化 ,  プロセス ,  Si ,  界面 ,  電気的特性 ,  評価