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J-GLOBAL ID：200902235181619642   整理番号：09A0114869

Siウエハの化学機械的研削(CMG)における材料除去率の改良の研究

Study on Improvement of Material Removal Rate in Chemo-mechanical Grinding (CMG) of Si Wafer

著者 (11件)： SASAKI J. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  TSURUGA T. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  SOLTANI.H B. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  MITSUTA T. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  TIAN Y.B. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  SHIMIZU J. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  ZHOU L. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  EDA H. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  TASHIRO Y. (Tokyo Diamond Tools Mfg. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  IWASE H. (Toyota Motor Co., Aichi, JPN) ,  KAMIYA S.
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 389/390  ページ： 13-17  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学機械的研削(CMG)は,大径ウエハの加工用に考案された新技術である。CMGは,固定式砥粒加工と化学機械的研磨(CMP)の利点を組み合わせた。化学反応はCMG砥粒とSi材の間の接触部で起き,研削による寸法精度を保持したまま,CMPによると同様に表面を高品位化する。その欠点は材料除去率が低いことである。その改良のため,実験計画法でCMG砥石の最適仕様と最適研削因子を調べた。

シソーラス用語： *化学研磨 ,  研削 ,  *ウエハ【IC】 ,  *半導体材料 ,  バイポーラトランジスタ ,  *化学機械研磨 ,  *シリコンウエハ ,  *機械工作

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (5件)： Siウエハ ,  研削 ,  CMG ,  材料除去率 ,  研究