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J-GLOBAL ID：200902235198236674   整理番号：05A0196640

素子性能ブースタのプラットフォームとしての絶縁体上-歪Si/SiGe型CMOS技術

Strained-Si/SiGe-On-Insulator CMOS technology as a platform of device performance boosters

著者 (9件)： TAKAGI S (Univ. Tokyo) ,  MIZUNO T (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  TEZUKA T (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  SUGIYAMA N (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  NUMATA T (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  USUDA K (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  MORIYAMA Y (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  NAKAHARAI S (Assoc. Super-Advanced Electronics Technol.) ,  MAEDA T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.)
資料名： SiGe: Materials, Processing, and Devices  (SiGe: Materials, Processing, and Devices)
ページ： 61-76  発行年： 2004年 
JST資料番号： K20050013  ISBN： 1-56677-420-9  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のCMOS技術の特長と現状について報告する。この技術で作...

シソーラス用語： SOI構造 ,...
準シソーラス用語： しきい電圧

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ブースタ ,  プラットフォーム ,  絶縁体 ,  歪 ,  Si ,  SiGe ,  CMOS技術