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J-GLOBAL ID:200902235198236674   整理番号:05A0196640

素子性能ブースタのプラットフォームとしての絶縁体上-歪Si/SiGe型CMOS技術

Strained-Si/SiGe-On-Insulator CMOS technology as a platform of device performance boosters
著者 (9件):
資料名:
ページ: 61-76  発行年: 2004年 
JST資料番号: K20050013  ISBN: 1-56677-420-9  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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標記のCMOS技術の特長と現状について報告する。この技術で作...
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 

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