前田辰郎

マエダタツロウ | Maeda Tatsurou

所属機関・部署：
職名：研究主幹
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T03996522

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (8件)：

2024 - 2027 真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生
2023 - 2026 電子・フォノン・光の量子協奏がもたらす通信波長帯IV族半導体レーザー
2023 - 2026 性能バランスを最適設計した異種チャネル3D CFET SRAM
2020 - 2023 自由空間電子走行型光電変換デバイスの創生とテラヘルツ波パルスビームの実現
2017 - 2022 layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御

全件表示

論文 (138件)：

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024
Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda. High-Responsivity Ge Schottky Photodetectors With Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes. IEEE Electron Device Letters. 2023
Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, Takashi Koida. Schottky barrier contact on In_0.53Ga_0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxide. Applied Physics Letters. 2022. 121. 23. 232102-232102
Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, Takashi Koida. Transparent Conductive Oxide (TCO) Gated Ingaas Mosfets for Front-Side Illuminated Short-Wave Infrared Detection. ECS Meeting Abstracts. 2022
Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Mengnan Ke, Tatsuro Maeda. Surface bonding state of germanium via cyclic dry treatments using plasma of hydrogen iodine and pure oxygen gases. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SD

MISC (43件)：

Yukihiro Imai, Kouta Takahashi, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa. Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 310-312
服部淳一, 福田浩一, 入沢寿史, 太田裕之, 前田辰郎. 招待講演モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 450. 23-28
森田行則, 前田辰郎, 太田裕之, 水林亘, 大内真一, 昌原明植, 松川貴, 遠藤和彦. Ge立体チャネルトランジスタのための酸素エッチング技術. 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology. 2016. 80. 49-52
水野智久, 前田辰郎, 多田哲也. 2014年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文二次元半導体デバイスの研究. Science journal of Kanagawa University. 2015. 26. 33-39
入沢寿史, 小田穣, 池田圭司, 守山佳彦, 三枝栄子, JEVASUWAN Wipakorn, 前田辰郎, 市川麿, 長田剛規, 秦雅彦, et al. 招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs (シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 113. 420. 9-12

特許 (20件)：

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

前田 辰郎

前田辰郎