前田辰郎

マエダタツロウ | Maeda Tatsurou

所属機関・部署：
職名：研究主幹
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T03996522

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (5件)：

2020 - 2023 自由空間電子走行型光電変換デバイスの創生とテラヘルツ波パルスビームの実現
2017 - 2022 layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御
2015 - 2019 最高速CPU開発に向けた高品質バルク混晶シリコンゲルマニウム単結晶育成方法の確立
2012 - 2015 III-V族pチャネルMOSFETのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御
2012 - 2015 次世代高移動度チャネル材料向け全窒化膜ゲートスタック技術の研究

論文 (123件)：

Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, Takashi Koida. Schottky barrier contact on In_0.53Ga_0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxide. Applied Physics Letters. 2022. 121. 23. 232102-232102
Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Mengnan Ke, Tatsuro Maeda. Surface bonding state of germanium via cyclic dry treatments using plasma of hydrogen iodine and pure oxygen gases. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SD
Hiroto Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Mengnan Ke, Tatsuro Maeda. Surface bonding state of germanium via cyclic dry treatments using plasma of hydrogen iodine and pure oxygen gases. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. SD
Wen Hsin Chang, Hsien-Wen Wan, Yi-Ting Cheng, Yen-Hsun G. Lin, Toshifumi Irisawa, Hiroyuki Ishii, Jueinai Kwo, Minghwei Hong, Tatsuro Maeda. Low thermal budget epitaxial lift off (ELO) for Ge (111)-on-insulator structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SC. SC1024-SC1024
Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, Takashi Koida. High and broadband sensitivity front-side illuminated InGaAs photo field-effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate. Applied Physics Letters. 2021. 119. 19

MISC (39件)：

Yukihiro Imai, Kouta Takahashi, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa. Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 310-312
服部淳一, 福田浩一, 入沢寿史, 太田裕之, 前田辰郎. 招待講演モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 450. 23-28
森田行則, 前田辰郎, 太田裕之, 水林亘, 大内真一, 昌原明植, 松川貴, 遠藤和彦. Ge立体チャネルトランジスタのための酸素エッチング技術. 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology. 2016. 80. 49-52
入沢寿史, 小田穣, 池田圭司, 守山佳彦, 三枝栄子, JEVASUWAN Wipakorn, 前田辰郎, 市川麿, 長田剛規, 秦雅彦, et al. 招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs (シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 113. 420. 9-12
後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎. 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 176. 37-42

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