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J-GLOBAL ID：200902238234917917   整理番号：09A0035946

III-V族化合物半導体表面のMBE成長その場STM観察

In-situ STM Studies on III-V Compound Semiconductor Surfaces during MBE Growth

著者 (1件)： 塚本史郎 (阿南工業高等専門学校 地域連携・テクノセンター)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 29  号： 12  ページ： 758-764 (J-STAGE)  発行年： 2008年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MBE成長をその場観察することを目的としてMBE装置と走査トンネル顕微鏡(STM)を複合化したシステムを開発した。このシステムは,必要なときにSTMを真空中で移動してMBEと合体させる機構を備える。また,MBEからの振動及び熱の伝達を遮断する機構も持つ。このシステムを用いてGaAs表面にGa原子を供給したときの初期過程を調べた。Bステップ近傍の特定のサイトにGa原子が集結する様子が観察され,理論計算と対比しながら現象の解釈を行った。また,InAs量子ドットが成長している表面のその場STM観察についても紹介した。

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  *MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  その場観察 ,  表面構造 ,  量子ドット ,  表面再構成 ,  化合物半導体 ,  分析機器
準シソーラス用語： STM【顕微鏡】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (41件)：

• 1) D.K. Biegelsen, R.D. Bringans, J.E. Northrup and L.E. Swartz: Phys. Rev. B 41, 5701 (1990).
• 2) I. Tanaka, S. Ohkouchi, T. Kato and F. Osaka: J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2277 (1991).
• 3) B.G. Orr, C.W. Snyder and M.D. Johnson: Rev. Sci. Instrum. 62, 1400 (1991).
• 4) M. Tanimoto, J. Osaka, T. Takegami, S. Hirono and K. Kanisawa: Ultramicroscopy 42-44, 1275 (1992).
• 5) J. Zhou, Q. Xue, H. Chaya, T. Hashizume and T. Sakurai: Appl. Phys. Lett. 64, 583 (1994).

タイトルに関連する用語 (4件)： 化合物半導体 ,  MBE成長 ,  STM ,  観察