文献
J-GLOBAL ID:200902244731483882   整理番号:09A0797106

RCu2Si2(R:希土類元素)の純良単結晶育成と4f電子状態の系統的研究

Single Crystal Growth and Electronic States in RCu2Sb2
著者 (18件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 433-449  発行年: 2009年07月15日 
JST資料番号: F0158B  ISSN: 0454-4544  CODEN: KOTBA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の磁性  ,  結晶中の局在電子構造  ,  その他の無機化合物の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る