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J-GLOBAL ID：200902289195599965   整理番号：09A0420956

GaAs(001)面上InAsウェッティング層表面超構造の解析

著者 (10件)： 山本紗世 (阿南工高専) ,  山本稔 (阿南工高専) ,  岩田久典 (阿南工高専) ,  東條孝志 (阿南工高専) ,  小西智也 (阿南工高専) ,  釜野勝 (阿南工高専) ,  杉野隆三郎 (阿南工高専) ,  三木哲志 (阿南工高専) ,  森住昇 (阿南工高専) ,  塚本史郎 (阿南工高専)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 449  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  *濡れ ,  表面構造 ,  MBE成長 ,  走査電子顕微鏡 ,  その場観察 ,  RHEED ,  ナノ構造 ,  構造
準シソーラス用語： *超構造

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  InAs ,  解析