特許

J-GLOBAL ID：200903008269858547

半導体装置の製造方法

発明者： 中田 錬平 ,  依田 孝 ,  池上 浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218528
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031580
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】性能および品質が劣化し難く、信頼性が損なわれ難い半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板2上にワニス状のメチルポリシロキサンを塗布し、加熱処理して第1層間絶縁膜3を形成する。絶縁膜3に第1層配線用溝7を形成する。溝7に第1層TaN膜8および第1層Cu配線4を形成する。膜3および配線4の表層部に、プラズマ状態のCH4ガスを用いて30秒間プラズマ処理を施す。膜3の上に、SiH4ガスおよびNH3ガスを用いてプラズマCVD法により第1層SiN膜5を形成する。膜5の上に、絶縁膜3と同質の絶縁膜9を形成し、第2層配線用溝10および層間接続配線用孔11を形成する。配線4上の酸化膜をウェット・エッチングにより除去する。溝10および孔11に第2層Cu配線12、層間接続用Cu配線13、第2層TaN膜14を形成し、半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

炭素を含む第1の絶縁膜が設けられた半導体基板上に銅配線を形成する工程と、前記銅配線、および少なくとも前記銅配線の周囲の前記第1の絶縁膜に対し、炭素および水素を含みプラズマ状態に設定されたガスを用いて、所定のプラズマ処理を施す工程と、このプラズマ処理が施された後の前記銅配線および前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 S

Fターム (51件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX12 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG07 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-320934   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-350937
  
• 特開平4-350937