半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮越典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320934
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144090
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【目的】ダマシン銅配線107a等において、銅表面上の酸化銅(CuXO)108a等を、プラズマCH4処理109により、除去することを特徴とする。さらに、大気に曝すことなくプラズマ窒化シリコン膜110でキャップすることで、酸化を防止する。【課題】酸化銅が存在すると窒化シリコン膜が剥がれ易い。特に、大面積の銅配線上のプラズマ窒化シリコン膜が剥がれ易い。密着性が悪いために銅原子が界面で動き易く、エレクトロマイグレーションが劣化する。【解決手段】表面上に吸着した炭素は、酸化銅から選択的に酸素を除去し、揮発性のCO分子となって、銅配線表面から容易に除去できる。さらに、水素にとっても還元剤として働くために、水素による還元効果も増加する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の絶縁膜102上に形成されたバリア層上に、銅層による配線層を形成した後、炭素又は水素のうち少なくとも一方を含むプラズマに曝し、当該配線層上の酸化銅等を還元し、金属銅へ変換し、銅層による配線層を形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/285 301

FI (2件)：

H01L 21/285 301 Z , H01L 21/88 M

Fターム (52件)：

4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD23 , 4M104DD86 , 4M104EE14 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH09 , 4M104HH15 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR26 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX09 , 5F033XX14 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-168707 出願人：株式会社日立製作所
銅薄膜のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-113542 出願人：富士通株式会社
半導体ウエハの絶縁層バイア内の銅層への接点を形成する方法及び構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-039692 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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