特許
J-GLOBAL ID:200903047816451452
電磁波発生素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-064496
公開番号(公開出願番号):特開2006-251086
出願日: 2005年03月08日
公開日(公表日): 2006年09月21日
要約:
【課題】 少ない枚数の半導体ウェハーによって擬似位相整合効果を発現し、方位反転軸の平行度の高い、効率的な差周波光を生成するための電磁波発生素子を提供する。【解決手段】 電磁波発生素子は、基板上に閃亜鉛鉱構造のIII-V族およびII-VI族のどちらか一方の化合物半導体ウェハーからなる光導波路を有する。光導波路は、[111]軸方向および結晶的に等価な軸方向のどちらか一方が互いに反平行になるように、複数枚の化合物半導体ウェハーを{110}面を積層面として接合される。光導波路は、一方のウェハーに起点を持つ光導波路が他方のウェハーを通過し、また元のウェハーを通過することを周期的に繰り返す形状である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に、閃亜鉛鉱構造のIII-V族およびII-VI族のどちらか一方の化合物半導体からなる光導波路を備え、前記光導波路は、[111]軸方向および結晶的に等価な軸方向のどちらか一方が互いに反平行になるように、複数の化合物半導体ウェハーを{110}面を積層面として接合し、一方のウェハーに起点を持つ光導波路が他方のウェハーを通過し、また元のウェハーを通過することを周期的に繰り返す形状であることを特徴とする電磁波発生素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
2K002AB27
, 2K002AB40
, 2K002BA01
, 2K002CA13
, 2K002HA13
引用特許: