特許
J-GLOBAL ID：200903053717293403
遠赤外発光素子及び遠赤外レーザー
出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構
独立行政法人科学技術振興機構 について
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-298003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072153
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 遠赤外発光が可能で、且つ波長可変機能を有した、小型、低消費電力の遠赤外発光素子を提供する。【解決手段】 SiあるいはGaAs等の固体材料中に形成した2次元電子系4上に、円盤形状のソース電極5、ソース電極5の外側に円環状を成し且つ円環の一部に切欠部分6aを有するゲート電極6、切欠部分6aからゲート電極6の外側に一定距離離れた位置に第1のゲート電極7、第1のゲート電極7のさらに外側にドレイン電極8を有する。遠赤外発光素子1をランダウ準位充填率4の量子ホール状態にする。第1のゲート電極7に電圧を印加して第1のゲート電極7の下のランダウ準位充填率を2に設定し、ソース電極5とドレイン電極8との間の電位差を調整して、下位ランダウ準位9aと上位ランダウ準位9bのエネルギー差が、ランダウ準位エネルギー(サイクロトロンエネルギー)以上の化学ポテンシャル差になるようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
固体材料中に作製した静磁場中二次元キャリア系と、この二次元キャリア系に形成したチャネルと、このチャネルを横断して設けた第1のゲート電極と、上記チャネルに電流を供給するソース及びドレイン電極とを有し、
上記二次元キャリア系を量子ホール状態に設定すると共に上記第1のゲート電極に電圧を印加して、エッジチャネル間に非平衡キャリア分布を形成し、且つこのエッジチャネル間の化学ポテンシャル差が、ランダウ準位間のエネルギー差以上になる電位差を、上記ソース及びドレイン電極間に印加することにより、上記エッジチャネル間にキャリアの反転分布を形成し、この反転分布により遠赤外発光することを特徴とする遠赤外発光素子。
IPC (3件)：
FI (3件)：
Fターム (19件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041AA24
, 5F041AA47
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA93
, 5F041CB01
, 5F041CB36
, 5F041FF14
, 5F041FF16
, 5F073AA61
, 5F073AA62
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073EA08
, 5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (4件)
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光学装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-273727 出願人：株式会社東芝 -
電磁波光源用磁気回路
公報種別：公開公報 出願番号：特願平11-244426 出願人：住友特殊金属株式会社 -
コルビノ型磁気センサ
公報種別：公開公報 出願番号：特願平9-287289 出願人：日本電気株式会社
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