特許

J-GLOBAL ID：200903090522504879

加工方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 竹石 知之 ,  川野 健二 ,  池上 浩 ,  渡瀬 正美 ,  伊藤 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319099
公開番号（公開出願番号）：特開2007-130688
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】 被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去を容易にする。【解決手段】 被加工膜107上に有機樹脂で構成された有機膜149を形成する工程と、有機膜149の内部応力を小さくする工程と、有機膜149に加工光を照射し、加工領域の有機膜149を選択除去する工程と、有機膜149をマスクとして、被加工膜107をエッチングする工程を有する。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

被加工膜上に有機樹脂で構成された有機膜を形成する工程と、 前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、 前記有機膜に加工光を照射し、前記加工領域の前記有機膜を選択除去する工程と、 前記有機膜をマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、 を有することを特徴とする加工方法。

IPC (6件)：

B23K 26/36 ,  H01L 21/027 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/073 ,  B23K 26/12 ,  H01L 21/302

FI (7件)：

B23K26/36 ,  H01L21/30 503G ,  B23K26/00 H ,  B23K26/073 ,  B23K26/12 ,  H01L21/30 520C ,  H01L21/302 201B

Fターム (27件)：

4E068AH00 ,  4E068AJ01 ,  4E068CD05 ,  4E068CD10 ,  4E068CJ07 ,  4E068DA10 ,  5F004BB03 ,  5F004BB04 ,  5F004BB05 ,  5F004CA05 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB13 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA22 ,  5F004EA38 ,  5F046AA17 ,  5F046AA26 ,  5F046FC01 ,  5F046FC02 ,  5F046FC10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 金属膜のレーザ除去加工法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-151816   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• レーザ加工用マスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-038168   出願人：株式会社日立製作所