研究者
J-GLOBAL ID:200901002051666560
更新日: 2024年01月17日
堀口 文男
ホリグチ フミオ | Horiguchi Fumio
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所属機関・部署:
東洋大学 総合情報学部 総合情報学科
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職名:
教授,東洋大学 総合情報学部 総合情報学科
研究分野 (1件):
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (10件):
多値
, 多層MRAM
, 電子デバイス
, MR比
, 多層
, 積層化
, 集積回路
, メモリ
, MTJ
, MRAM
競争的資金等の研究課題 (2件):
2009 - 2011 大容量多層メモリ回路技術の開発
2005 - 2008 MRAMの多層化
論文 (9件):
Yoshiaki Asao, Fumio Horiguchi. A Comprehensive Model for Write Disturbance in Resistive Memory Composed of Cross-Point Array. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2017. E100C. 3. 329-339
Yoshiaki Asao, Fumio Horiguchi. A Precise Model for Cross-Point Memory Array. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2016. E99C. 1. 119-128
堀口 文男. オンチップ太陽電池のダイナミック電圧・電流制御. 信学論(C). 2014. J97-C. 2. 77-78
Fumio Horiguchi. Integration of Series-Connected On-Chip Solar Battery in a Triple-Well CMOS LSI. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2012. 59. 6. 1580-1584
堀口 文男, 塚越 亨, 富樫英樹. 直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法. 信学論(C). 2011. J94-C. 5. 136-137
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特許 (2件):
半導体装置
半導体装置
書籍 (2件):
Information Technology I, Chapter12 Dynamic Random Access Memory, Nanotechnology
Willy-VCH 2008
エンジニアのための哲学・倫理
実教出版 2007
講演・口頭発表等 (3件):
直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法
(電子情報通信学会ソサイエティ大会エレクトロニクス講演論文集2、C-12-43 2012)
Integration of Series-Connected On-Chip Solar Battery in a Triple-Well CMOS LSI
(ESSDERC 2011 2011)
Advanced memory concepts for DRAM and nonvolatile memories
(ESSDERC 2005 2005)
学歴 (2件):
東京工業大学工学部電子工学科
東京工業大学大学院総合理工学研究科
学位 (1件):
工学博士 (東京工業大学大学院電子システム専攻)
委員歴 (1件):
- 現在 2004/5~2007/5 電子情報通信学会 シリコン・材料・デバイス研究会 委員長
受賞 (3件):
1981/4 電子情報通信学会 学術奨励賞
2002/10 (社)発明協会 地方発明表彰「高速動作マイクロプロセッサ」登録番号JP2642346
2012/9 電子情報通信学会 平成23年度エレクトロニクスレター論文賞
所属学会 (3件):
情報処理学会
, 電子情報通信学会
, IEEE
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