菅原活郎

スガワラカツロウ | Sugawara Katsuro

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://cs.ce.nihon-u.ac.jp/~sugawara/

研究分野 (4件)：反応工学、プロセスシステム工学 , 電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (6件)：単結晶成長技術 , 薄膜技術 , VLSIプロセス工学 , Technology of Single Crystal Growth , Thin Film Technology , VLSI Process Engineering

競争的資金等の研究課題 (6件)：

全件表示

MISC (163件)：

Computer simulation of CVD WSix Film Deposition to Obtain Uniform Film Properties. Proceedings of the 3rd Japan-Korea Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments. 2002. 200-209
Computer simulation of CVD WSix Film Deposition to Obtain Uniform Film Properties. Proceedings of the 3rd Japan-Korea Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments. 2002. 200-209
Si引上単結晶酸素濃度分布のシミュレーション -半径方向酸素濃度分布の均一化-(共著). 日本大学工学部紀要. 2002. 44(1), 139-150
半導体単結晶結合状態の可視化(共著). 応用物理教育. 2002. 26(1), 25-28
Computer Simulation of WSix CVD VLSI Processing to Obtain Uniform Film Properties. 201st Electochem. Soc. Philadelphia Meeting Extended Abstracts. 2002. 550

書籍 (25件)：

電気化学便覧(改訂5版)
17・1シリコンと半導体デバイス(丸善) 2000
化学工学便覧(改訂6版)21 薄膜・微粒子生成反応 21・1薄膜・気相の実例 21・1・2気相薄膜合成装置と反応条件(共著)
丸善 1999
Si ULSI用薄膜の最新トピックスと反応器シミュレーションのためのWSix反応機構解析
化学工学会CVD工学基礎プロジェクト(III)研究会初年度報告書 1997
Reaction Chemistry of InGaAsP MOCVD Studied with FT-IR Gas Monitoring and Numerical Analysis on Growth Kinetics.
"Chemical Vapor Deposition-Proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11 1997
Finite Element Analysis of the Radadial Phosphorus Dopant Distribution in Si Czochralski-grown Single Crystals.
Proceedings of the Symposium on "Crystalline Defects and Contamination : Their Impact and Control in Device Manufacturing II" 1997

Works (44件)：

化学工学会CVD特別研究会2年度報告書.「ULSI用薄膜を中心とした評価技術」シンポジウムを計画して-化学工学会CVD特別研究会・ECS日本支部ミニシンポジウム「ULSI用薄膜を中心とした評価技術」-(共著)
1999 -
化学工学会CVD工学基礎プロジェクト(III)研究会初年度報告書 Si ULSI用薄膜の最新トピックスと反応器シミュレーションのためのWSix反応機構解析
1997 -
Advanced Topics on Si ULSI Thin Film and WSix Reaction Mechanism Analysis Used for CVD Reactor Simulation. (訳)
1997 -
化学工学会CVD特別研究会3年度報告書化学工学会第28回秋季大会シンポジウムでの発表内容
1996 -
化学工学会CVD特別研究会3年度報告書:薄膜生成のシミュレーション-計算物理・計算化学を用いたシミュレーションのULSIへの応用-
1996 -

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (10件)：

1993 - 2001 日本大学工学部情報工学科教授
1993 - 2001 Nihon University, College of Engineering, Professor
1989 - 1992 日立超LSIエンジニアリング株式会社取締役・技師長
1989 - 1992 Hitachi ULSI Engineering, Corp., Board Director & Senior Chief Engineer
1982 - 1988 (株)日立製作所半導体事業部副技師長

全件表示

委員歴 (2件)：

受賞 (3件)：

所属学会 (6件)：

情報処理学会 , 米国ECS(ELECTROCHEMICAL SOCIETY) , 化学工学会 , 電子情報通信学会 , 日本化学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

菅原 活郎