研究者
J-GLOBAL ID：200901094493608684
更新日: 2020年04月30日
上原 信吾
ウエハラ シンゴ | Uehara Shingo
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研究分野 (2件)：
電子デバイス、電子機器
, 光工学、光量子科学
研究キーワード (6件)：
光素子
, 電界測定
, ポーラスシリコン
, EO-measurement
, optical devise
, porous silicon
競争的資金等の研究課題 (5件)：
2004 - 2007 電気光学効果を用いた電界ベクトル測定
陽極化成を用いたシリコンの微細加工
ポーラスシリコンの光素子への応用
electric field vector measurement using EO-effect
Optical devices using porous silicon
MISC (30件)：
Dependence of selective anodization characteristics on silicon substrate orientation. phys. stat. sol. (c). 2005. vol. 2, No. 9, pp.3389-3393
R Yano, Y Hirayama, S Miyashita, N Uesugi, S Uehara. Arsenic pressure dependence of carrier lifetime and annealing dynamics for low-temperature grown GaAs studied by pump-probe spectroscopy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2003. 94. 6. 3966-3971
R Yano, Y Hirayama, S Miyashita, N Uesugi, S Uehara. Arsenic pressure dependence of carrier lifetime and annealing dynamics for low-temperature grown GaAs studied by pump-probe spectroscopy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2003. 94. 6. 3966-3971
S Uehara, J Sugimoto, D Yono, T Matsubara. Micro-tip array fabrication by selective anodization of p(+)-type Si substrate. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH. 2003. 197. 1. 275-278
S Uehara, J Sugimoto, D Yono, T Matsubara. Micro-tip array fabrication by selective anodization of p(+)-type Si substrate. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH. 2003. 197. 1. 275-278
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学歴 (4件)：
- 1969 東京大学 工学研究科 電子工学
- 1969 東京大学
- 1967 東京大学 工学部 電子工
- 1967 東京大学
学位 (1件)：
工学博士
経歴 (1件)：
成蹊大学 理工学部 情報科学科 教授
所属学会 (3件)：
米電気電子学会(Institute of Electrical and Electronics Engineers)
, 応用物理学会
, 電子情報通信学会
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