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J-GLOBAL ID：200902005287141860   整理番号：87A0322183

HR-CVD法によるシリコン薄膜の作製 アモルファスからエピタキシャル成長まで

Low temperature growth of silicon thin films by hydrogen-radical-enhanced chemical vapor deposition.

著者 (5件)： 福田加一 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  大利博和 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  半那純一 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  小田俊理 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  清水勇 (東京工大 大学院 総合理工学研究科)
資料名： 電子写真学会誌  (Electrophotography)
巻： 26  号： 2  ページ： 137-144  発行年： 1987年06月 
JST資料番号： G0323A  ISSN： 0387-916X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素ラジカルを導入したCVD法でシリコン膜を作る方法を研究し...

シソーラス用語： 化学蒸着 ,...

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分類 (2件)： 各種写真法  (ZA03040M) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (17件)：

• 1) W. E. Spear and P. G. LeComber : Solid State Comun. 17, 1193 (1986).
• 2) M. H. Broadsky, M. A. Frisch, J. F. Ziegler and A. Lanford : Appl. Phys. Lett. 30, 561 (1977).
• 3) A. Madan, S. R. Ovshinsky and E. Benn : Phil. Mag. 40, 259 (1978).
• 4) K. Nozawa, Y. Yamaguchi, J. Hanna and I. Shimizu: J. Non-Cryst. Solids 59 & 60, 533 (1983).
• 5) J. Hanna, N. Shibata, S. Oda and I. Shimizu: Electro-photography 25, 24 in Japanese (1986).

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD法 ,  シリコン薄膜 ,  作製 ,  アモルファス ,  エピタキシャル成長