文献
J-GLOBAL ID:200902096868376804
整理番号:86A0129260
2H-MoS2のへき開面上にヘテロエピタキシャル成長した単分子層NbSe2膜の電子構造
Electronic structure of a monolayer NbSe2 film grown heteroepitaxially on the cleaved face of 2H-MoS2.
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著者 (3件):
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資料名:
ページ:
1465-1468
発行年:
1985年
JST資料番号:
K19850452
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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分子線エピタキシーによって2H-MoS
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分類 (2件):
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金属結晶の電子構造
, 電子分光スペクトル
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