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J-GLOBAL ID：200902096868376804   整理番号：86A0129260

2H-MoS₂のへき開面上にヘテロエピタキシャル成長した単分子層NbSe₂膜の電子構造

Electronic structure of a monolayer NbSe₂ film grown heteroepitaxially on the cleaved face of 2H-MoS₂.

著者 (3件)： KOMA A (Univ. Tsukuba) ,  SUNOUCHI K (Univ. Tsukuba) ,  MIYAJIMA T (Univ. Tsukuba)
資料名： Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1984  (Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1984)
ページ： 1465-1468  発行年： 1985年 
JST資料番号： K19850452  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによって2H-MoS<sub>2</sub...

シソーラス用語： エピタクシー ,...

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分類 (2件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (5件)： MoS2 ,  へき開面 ,  成長 ,  単分子層 ,  電子構造