文献

J-GLOBAL ID：200902131542044690   整理番号：02A0466170

Ge/Si(100)への原子状水素曝露による表面組成の変化

著者 (7件)： 辰巳敦宣 (大阪大 工) ,  藤野俊明 (大阪大 工) ,  井上真一 (大阪大 工) ,  奥野智久 (大阪大 工) ,  堀川丈史 (大阪大 工) ,  片山光浩 (大阪大 工) ,  尾浦憲治郎 (大阪大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 645  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,...
準シソーラス用語： 直衝突イオン散乱分光法 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0466170&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Si ,  原子状水素 ,  曝露 ,  表面組成