文献

J-GLOBAL ID：200902167671746760   整理番号：01A0554655

原子状水素雰囲気下におけるSi(001)表面上Ge薄膜成長のイオン散乱リアルタイムその場計測

著者 (5件)： 井上真一 (大阪大) ,  山崎宥人 (大阪大) ,  藤野俊明 (大阪大) ,  片山光浩 (大阪大) ,  尾浦憲治郎 (大阪大)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 44  号： 3  ページ： 385  発行年： 2001年03月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 気相雰囲気下において半導体表面プロセスのその場計測が可能な低...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0554655&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (2件)：

• SAKAI, A. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 52
• KATAYAMA, M. Phys. Rev. 1996, B54, 8600

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子状水素 ,  雰囲気 ,  Si ,  Ge ,  薄膜成長 ,  イオン散乱 ,  リアルタイム ,  その場計測