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J-GLOBAL ID：200902174361205650   整理番号：00A0593456

Siナノデバイス (2) シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイス

著者 (8件)： 高橋庸夫 (NTT 物性科学基礎研) ,  小野行徳 (NTT 物性科学基礎研) ,  藤原聡 (NTT 物性科学基礎研) ,  生津英夫 (NTT 物性科学基礎研) ,  白石賢二 (NTT 物性科学基礎研) ,  永瀬雅夫 (NTT 物性科学基礎研) ,  堀口誠二 (NTT 物性科学基礎研) ,  村瀬克実 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： FEDジャーナル  (FED Journal)
巻： 11  号： 1  ページ： 8-15  発行年： 2000年 
JST資料番号： L2842A  ISSN： 0918-2772  CODEN： FEJAEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ナノデバイス ,  シリコン ,  量子効果デバイス ,  単電子デバイス