研究者
J-GLOBAL ID:200901072730849965   更新日: 2020年09月01日

高橋 庸夫

タカハシ ヤスオ | Takahashi Yasuo
所属機関・部署:
ホームページURL (2件): http://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/http://www.nano.eng.hokudai.ac.jp/~bukkou/index.html
研究分野 (7件): 金属材料物性 ,  感性情報学 ,  ソフトコンピューティング ,  半導体、光物性、原子物理 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (39件): 電子デバイス・機器 ,  少数電子素子 ,  量子ドット ,  フレキシブル論理ゲート ,  省エネルギー ,  揺らぎ許容デバイス ,  先端機能デバイス ,  単電子転送 ,  ナノ材料 ,  集積化デバイス ,  シリコン ,  その場計測 ,  磁気抵抗効果 ,  電子顕微鏡 ,  単電子デバイス ,  ドナー ,  CMOSデバイス ,  電荷 ,  半導体 ,  ナノ物性 ,  ナノディスクアレイ構造 ,  その場観察 ,  トンネル接合 ,  アクセプタ ,  ゆらぎ ,  単電子トンネル伝導 ,  マイクロナノデバイス ,  少数電子デバイス ,  単一電子 ,  単電子伝導 ,  物性 * ,  マイクロ・ナノデバイス・電子機器 ,  電子デバイス・電子機器 ,  Atomic layer epitaxy ,  Metal silicide ,  Silicon MOS devices ,  Single electronics ,  Mesoscopic devices ,  Nanoscience
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2005 - 抵抗変化型不揮発性メモリの研究
  • 1992 - 半導体ナノドットと金属ナノドットの物性物理とそのエレクトロニクス・デバイスへの応用
  • 1992 - Fabrication of semiconductor nanodots and metal nanodots and their device applications, especially for single electronics.
論文 (296件):
  • Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Keiji Tsubaki, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Stable and Tunable Current-Induced Phase Transition in Epitaxial Thin Films of Ca2RuO4. ACS Applied Materials & Interfaces. 2020
  • Robin Msiska, Shusaku Honjo, Yuki Asai, Msasashi Arita, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi, Norihisa Hoshino, Tomoyuki Akutagawa, Osamu Kitakami, Masaya Fujioka, Junji Nishii, and Hideo Kaiju. Tunnel Magnetocapacitance in Single-layered Fe/MgF2 Granular Films. Applied Physics Letters. 2020. 116. 082401. 1-5
  • S. Muto, S. Sakai, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi. In-situ TEM observation of Cu-WOx CBRAM during gradual resistance decrease fot initialization. Proc. 32nd Internat. Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2019. 3C101-1-3C101-2
  • Yasuo Takahashi, Michito Sinohara, Masashi Arita, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Akira Fujiwara, Yukinori Ono, Katsuhiko Nishiguchi, and Hiroshi Inokawa. Si Single-Electron Transistor Characteristics under Photo-Excitation. ECS Transactions. 2019. 92. 4. 47-56
  • M. Arita, R. Ishikawa, K. Arima, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, M. Kudo, S. Matsumura. Failure and Recovery of Double-Layer CBRAM Studied by In-Situ TEM. Extended Abstract of the 2019 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Materials. 2019. 703-704
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MISC (38件):
  • K. Yamashita, M. Harada, T. Morie, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa. Investigation of LSI Architecture and Analog Memory Devices for Brain-like Systems. Proc. the 16th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2019). 2019
  • 有田 正志, 福地 厚, 高橋 庸夫. ナノスケールReRAMデバイスのIn-situ TEM解析 -ナノプローブによる電気測定と微細構造変化ー. 表面と真空. 2018. 61. 12. 1-6
  • Y. Li, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, H. Ando, T. Morie, S. Samukawa. Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-d ReRAM for the application of neural network. Proc. the 15th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2018). 2018
  • K. Yamashita, M. Harada, T. Morie, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa. Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits. Proc. the 15th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2018). 2018
  • R. Ishikawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, M. Kudo, S. Matsumura. Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM. Proceedings of the 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018). 2018
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特許 (6件):
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書籍 (8件):
  • 量子ドットエレクトロニクスの最前線
    NTS 2011
  • ナノシリコンの最新技術と応用展開(Developing Nanosilicon Technology and Device Applications)
    シーエムシー出版 2010
  • Developing Nanosilicon Technology and Device Applications
    2010
  • 自己組織化ハンドブック
    (株)エヌ・ティー・エス 2009
  • Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
    Springer 2009
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講演・口頭発表等 (398件):
  • Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM
    (30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018) 2018)
  • Double-gate single-electron transistor characteristics of single-layer Fe-MgF2 granular films
    (30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018) 2018)
  • Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits
    (Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018) 2018)
  • Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-δ ReRAM for the Application of Neural Network
    (Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018) 2018)
  • Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
    (7th International Symposium on Transparent Conductive Materials and the 5th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium on Advanced Oxides (TCM-2018) 2018)
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学歴 (4件):
  • - 1982 東北大学 電子工学専攻
  • - 1982 東北大学
  • - 1977 東北大学 電子工学科 卒
  • - 1977 東北大学
学位 (1件):
  • <工学博士 1982年> (東北大学)
経歴 (15件):
  • 2012 - 北海道大学 大学院・情報科学研究科 教授
  • 2002 - 2004 物性科学基礎研究所 先端デバイス研究部 部長
  • 2002 - 2004 Dean,Device Physics Lab., NTT Basic Research Labs.
  • 1999 - 2004 NTT 物性科学基礎研究所 SIナノデバイス研究グループリーダー
  • 1999 - 2004 Group Leader, Silicon Nanodevice Research Group,NTT Basic Research Labs.
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委員歴 (16件):
  • 2013/12 - 現在 Silicon Nanoelectronics Workshop General Chair
  • 2013/04 - 現在 IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC)-2014 Organizing Committee Chair
  • 2013/03 - 現在 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 幹事長
  • 2012/04 - 現在 日本工学教育協会 学教育賞選考委員会委員
  • 2010/04 - 現在 北海道工学教育協会 理事
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受賞 (9件):
  • 2014/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 2009/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー フェロー
  • 2006/09 - 応用物理学会 第28回応用物理学会論文賞(JJAP論文賞)
  • 2005 - IEEE Computer Society 35th ISMVL Outstanding Contributed Paper Award
  • 2003 - 応用物理学会論文賞(JJAP 論文賞)
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所属学会 (6件):
電気学会 ,  IEEE (米国電気電子学会) ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  IEEE ,  The Institute of Electronics Information and Comunication Engineers
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