文献

J-GLOBAL ID：200902222361079609   整理番号：04A0474119

ポリシリコン/金属酸化物の界面におけるFermiレベルピニング-第2部

Fermi-Level Pinning at the Polysilicon/Metal-Oxide Interface-Part II

著者 (9件)： HOBBS C C (Advanced Products Res. and Dev. Lab., TX, USA) ,  FONSECA L R C (Advanced Products Res. and Dev. Lab., AZ, USA) ,  KNIZHNIK A (Kintech Technol. Ltd, Moscow, RUS) ,  DHANDAPANI V (Advanced Products Res. and Dev. Lab., TX, USA) ,  SAMAVEDAM S B (NanoCoolers, TX, USA) ,  TAYLOR W J (Advanced Products Res. and Dev. Lab., TX, USA) ,  GRANT J M (Advanced Products Res. and Dev. Lab., TX, USA) ,  DIP L G (Advanced Products Res. and Dev. Lab., TX, USA) ,  TRIYOSO D H (Advanced Products Res. and Dev. Lab., TX, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 51  号： 6  ページ： 978-984  発行年： 2004年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特性改善に向けたMOSFETの微細化により,ゲート誘電膜が薄...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 界面状態

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0474119&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリシリコン ,  金属酸化物 ,  界面 ,  Fermiレベルピニング