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J-GLOBAL ID：200902222778471510   整理番号：09A0421225

反応性スパッタ法によるSbドープSnO₂(ATO)の高速成膜

著者 (9件)： 武藤優 (青山学院大) ,  西康孝 (青山学院大) ,  廣畑謙人 (青山学院大) ,  岡伸人 (青山学院大) ,  佐藤泰史 (青山学院大) ,  岩淵芳典 (ブリヂズトン) ,  小坪秀史 (ブリヂズトン) ,  吉川雅人 (ブリヂズトン) ,  重里有三 (青山学院大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 544  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *反応性スパッタリング ,  *酸化スズ ,  *アンチモン ,  *ドーピング ,  *薄膜成長 ,  高速度 ,  制御 ,  石英ガラス ,  酸素 ,  電気抵抗率 ,  金属 ,  ターゲット ,  ヒステリシス ,  インピーダンス制御 ,  流量依存性
準シソーラス用語： 高速 ,  溶融石英ガラス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性スパッタ法 ,  Sb ,  ドープ ,  SnO2 ,  ATO ,  高速成膜