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J-GLOBAL ID：200902232369918885   整理番号：04A0342753

MOCVD法によりInP(100)基板上に形成したInAs量子ドットの発光波長制御

著者 (6件)： 佐久間芳樹 (物質・材料研究機構) ,  竹口雅樹 (物質・材料研究機構) ,  竹本一矢 (富士通研) ,  広瀬真一 (富士通研) ,  臼杵達哉 (富士通研) ,  横山直樹 (富士通研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 359  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： トリメチルインジウム

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  InP ,  InAs量子ドット ,  波長制御