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J-GLOBAL ID:200902232369918885   整理番号:04A0342753

MOCVD法によりInP(100)基板上に形成したInAs量子ドットの発光波長制御

著者 (6件):
資料名:
巻: 51st  号:ページ: 359  発行年: 2004年03月28日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  半導体のルミネセンス 
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