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J-GLOBAL ID：200902255434410649   整理番号：08A0945093

新しいゲートリセスプロセスを用いたE-mode AlGaN/GaN HEMTの作製

著者 (4件)： 安達龍彦 (新日本無線 研) ,  出口忠義 (新日本無線 研) ,  伏見浩 (新日本無線 研) ,  江川孝志 (名古屋工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1268  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *RIE【エッチング】 ,  相互コンダクタンス ,  リソグラフィー ,  化合物半導体 ,  *リセス構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  作製